$ 133.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPA15N60C3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.


  • Bajo consumo de energía de 1.4mA / canal
  • Amplio rango de voltajes de modo común y diferencial
  • Unity aumenta el ancho de banda de 3MHz
  • Alta velocidad de rotación de 13V / μs
  • Rango de tensión de alimentación de 7V a 36V
  • Bajo corriente de polarización de entrada de 30pA
  • Corriente de desplazamiento de entrada baja de 5pA
  • Protección contra cortocircuito de salida
  • Impedancia de entrada alta Fase de entrada JFET
  • Rango de temperatura de funcionamiento de 0 ° C a 70 ° C
  • Aplicaciones: Controladores de solenoide y relé, reguladores. convertidores DC-DC y DC-AC, control de motor, amplificadores de audio, automotriz

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 15 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 45 A
  • Corriente de avalancha IAR: 15 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C):  156 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ (T=25°C): 0.28 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

SPP17N80C3

Documentación

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