$ 35.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El RFP50N06 es un MOSFET de potencia de N-canal de 60V usando el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se acercan a los de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización óptima del silicio, resultando en un rendimiento excepcional. El MOSFET está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relés. Este transistor puede ser operado directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

  • Modelo PSPICE® de compensación de temperatura
  • Corriente de pico vs. curva de ancho de pulso
  • UIS Curva nominal
  • 175 ° C Temperatura de unión nominal

Información Básica

  • Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 50 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 60 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 22 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 131 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Temperatura de trabajo mínima:-55 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2395 

Documentación

Datasheet

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