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Transistor RFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 A

Transistor RFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 A

TRARFP50N06

$ 67.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor RFP50N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El RFP50N06 es un MOSFET de potencia de N-canal de 60V usando el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se acercan a los de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización óptima del silicio, resultando en un rendimiento excepcional. El MOSFET está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relés. Este transistor puede ser operado directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

 

  • Modelo PSPICE  de compensación de temperatura
  • Corriente de pico vs. curva de ancho de pulso
  • UIS Curva nominal
  • 175 ° C Temperatura de unión nominal
  • Aplicaciones: Administración de potencia, control de motor

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 50 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 131 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.022 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2395     STP55N06

Documentación

Datasheet

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