$ 19.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor MTP3055E de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Terminación robusta de alto voltaje
  • Energía de avalancha especificada
  • IDSS y VDS (encendido) especificados a temperatura elevada
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente drenaje continua Id (Tc=25°C): 12 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C): 40 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.10 ohm
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines 

Sustituto

NTE2396 

Documentación 

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