$ 351.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Especificaciones

  • Continuous Drain Current Id: 19A
  • Fuente de drenaje de voltaje Vds: 600V
  • MSL: MSL 3-168 hours
  • ON RESISTANCE RDS (on): 0.16ohm
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
  • Disipación de energía Pd: 125W
  • RDS (on) Tensión de prueba Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4V
  • Tipo de caja Transistor: PowerFLAT
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • 5 pernos o pines

Sustituto

Sin aplicar

Documentación

Datasheet

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