$ 70.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 42 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
  • Resistencia desctivación Rds(on): 36 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4V
  • Disipación depotencia Pd: 140 W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

NTE2375 

Documentación

 

 

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