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Transistor HUFA75343 Mosfet TO-220 CH-N 55 V 75 A
TRAHUFA75343P3
Descripción
El transistor HUFA75343G3 es un MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el innovador proceso UltraFET. Esta avanzada tecnología de proceso logra la menor resistencia posible por área de silicio, lo que resulta en un desempeño sobresaliente. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo exhibe un tiempo de recuperación inverso y carga almacenada muy bajos. Fue diseñado para su uso en aplicaciones donde la eficiencia energética es importante, como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé, interruptores de bus de bajo voltaje y administración de energía en productos portátiles y que funcionan con baterías.
- Modelos de simulación
- Modelos PSPICE y SABRE con compensación de temperatura
- Modelos PSPICE y SABRE de impedancia térmica disponibles
- Corriente pico vs curva de ancho de pulso
- Curva de clasificación UIS
- Aplicaciones: Administración de potencia, electrónica de consumo, dispositivos portátiles, industrial
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 55 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 75 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 270 W
- Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.007 Ohms
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-220
- Número de pines: 3
Sustituto
IRFB3607 MTP75N06HD NTP75N06 STP75NF75
Documentación
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