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Descripción

Transistor Ultra fet mosfet de alta potencia HUFA75343P3. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El HUFA75343P3 de STMicroelectronics es un MOSFET del poder del STripFET II del canal de N del paso 55V N en paquete TO-220. Este MOSFET de potencia diseñado en el único proceso basado en franjas de tamaño de característica única, el transistor resultante muestra una densidad de embalaje extremadamente alta para resistencia de bajo estado, características de avalanchas rugosas y pasos de alineación menos críticos. Aplicable en aplicaciones de conmutación.
  • Drenaje a voltaje de fuente (Vds) de 55V
  • Voltaje de la puerta a la fuente de ± 20V
  • Corriente continua de drenaje (Id) de 80A
  • Disipación de potencia (Pd) de 300W
  • Baja resistencia al estado de 6,5mohm en Vgs 10V
  • Rango de temperatura de la junta de funcionamiento de -55 ° C a 175 ° C

Especificaciones

  • Tipo: UltraFet
  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 80A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 55V
  • Resistencia de activación Rds(on): 8mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10V
  • Tensión umbral Vgs: 3V
  • Disipación de potencia Pd: 300W
  • Temperatura de trabajo Máx.: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

Sin aplicar

Documentación 

Datasheet

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