$ 53.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El MJ10000 es un transistor con una fuente de silicio NPN Darlington con diodo emisor de base de aumento de velocidad. Diseñado para su uso en alta tensión, de alta velocidad, conmutación de potencia en los circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico y adecuado para aplicaciones en modo de conmutación de línea operada.

Información Básica

  • Polaridad: NPN
  • Tensión colector emisor V(br)ceo: 450V
  • Corriente de colector DC: 20A
  • Ganancia de corriente DC hFE: 600hFE
  • Disipación de potencia Pd: 175W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -65 °C
  • Encapsulado TO-3
  • 2 pines

Sustituto

NTE98 

Documentación

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