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Transistor MJ10000 Potencia

Transistor MJ10000 Potencia

TRAMJ10000

$ 339.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El MJ10000 es un transistor darlington de potencia de silicio NPN con diodo de aceleración del emisor base., diseñado para uso en alta tensión, alta velocidad, conmutación de potencia en circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico y adecuado para aplicaciones de modo de conmutación en línea.



  • Tensión del emisor 8 V
  • 2.5 A corriente de base
  • 1 ° C / W resistencia térmica de unión a carcasa
  • Aplicaciones: Administración de potencia, control de motor

Información Básica

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector base VCBO: 600 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 400 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 8 V
  • Corriente continua colector Ic: 10 A
  • Disipación colector Pc (Tc=25°C): 175 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • Número de pines: 2 pines

Sustituto

NTE98 

Documentación

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