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Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 A

Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 A

TRAIRLZ34N

$ 77.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRLZ34PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con resistencia extremadamente baja  a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
  • Rango dv / dt dinámico
  • Completamente avalancha clasificada
  • Unidad de puerta de nivel lógico
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 30 A
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: 55 V
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 2 V
  • Disipación de potencia Pd: 26 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.050ohms (Vgs=5V, Id=18A)
  • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.070 ohms (Vgs=4V, Id=15A)
  • Temperatura máxima de operación: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 Pines

    Sustituto

    NTE2985  

    Documentación 


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