Inicio
» Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 A
Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 A

Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 A

TRAIRGP4086

$ 150.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor bipolar IRGP4086 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

 

  • Tecnología TGB IGBT avanzada
  • Optimizado para el sostenimiento y la recuperación de energía de circuitos en aplicaciones PDP
  • Bajo VCE(on)  y energía por pulso (Epulse tm) para mejorar la eficiencia del panel
  • Capacidad de corriente máxima altamente repetitiva
  • Aplicaciones: Conmutación

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de colector emisor V(br)ceo: 300 V
  • Tensión de saturación colector emisor Vce(on): 1.9 V
  • Corriente de colector  DC: 70 A
  • Disipación de potencia Pd: 160 W
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
  • Encapsulado: TO-247AC
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

Productos Relacionados

Comentarios