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Descripción

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

El IRGB10B60KDPBF es un transistor bipolar de puerta aislada con diodo de recuperación suave ultrarrápido. Cuenta con baja VCE (on) sin punch a través de la tecnología IGBT y las características de recuperación inversa de diodo ultra suave.

  • VF de diodo bajo
  • Square RBSOA
  • VCE positivo (on) coeficiente de temperatura
  • Robusto rendimiento transitorio
  • Baja EMI
  • Excelente compartición actual en funcionamiento paralelo
  • 10μs Capacidad de cortocircuito

Información Básica

  • Tipo de transistor: IGBT bipolar
  • Con recuperación rápida
  • Con diodo
  • Corriente de colector DC: 22 A
  • Tensión colector emisor V(br)ceo: 600 V
  • Rango temperatura de operación: -55°C a 150°C
  • Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2.2V
  • Disipación de Potencia Pd 156W
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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