$ 130.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRG4PC50KDPBF es un IGBT de 600V  ultrarápido de 8 a 25 kHz con diodo de marcha suave y corto circuito nominal, con  proceso de conmutación dura optimizado para funcionamiento de alta frecuencia. La generación 4 del diseño de IGBT ofrece más estricto parámetro de distribución y una mayor eficiencia que la generación 3. HEXFRED diodos optimizados para un rendimiento y usados en configuraciones de puente. 

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

Especificaciones

  • Tipo de transistor: IGBT
  • Colector emisor Voltaje V (br) ceo: 600 V
  • Colector emisor Voltaje VCES: 2.19 V
  • Corriente de colector dc: 52 A
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
  • Disipación de energía Pd: 200 W
  • Encapsulado: TO-247
  • 3 pines
  • Modelo: 63J7526

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

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