$ 73.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFB260NPBF es un MOSFET de potencia, N-canal, HEXFET® de 200 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.
  • Carga de puerta a drenaje baja para reducir pérdidas de conmutación
  • Capacidad completamente caracterizada incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 110 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 8 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 150 W
  • Temperatura de trabajo máximo.: 175°C
  • Temperatura de trabajo mínimo: -55 °C
  • Encapsulado TO-247AC
  • 3 pines

Sustituto

NTE2913

Documentación

Datasheet

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