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Transistor IRFI644 Mosfet TO220 CH-N 250 V 14 A

Transistor IRFI644 Mosfet TO220 CH-N 250 V 14 A

TRAIRFI644

$ 32.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFI644G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFI644 es un MOSFET de potencia de tercer canal de mejoramiento de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El FULLPAK elimina la necesidad de hardware aislante adicional. El compuesto de moldeo utilizado proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la lengüeta y el disipador de calor externo. El aislamiento es equivalente a usar una barrera de mica de 100 micras con un producto estándar. El FULLPAK está montado en un disipador de calor con un único clip o con una sola fijación de tornillo.

 

  • Paquete aislado
  • Aislamiento de alta tensión = 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz)
  • Valor dinámico dV / dt
  • Baja resistencia térmica
  • 100% avalancha
  • Alta velocidad de conmutación
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, comercial  

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 250 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 7.9 A
  • Disipación de potencia Pd: 40 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.22ohm
  • Temperatura de trabajo mínima: -55°C
  • Temperatura de trabajo máxima.: 150°C 
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines 

Sustituto

NTE2900  IRF644   FQP16N25

Documentación 

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