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Transistor IRFI640G Mosfet TO220 CH-N 200 V 9.8 A

Transistor IRFI640G Mosfet TO220 CH-N 200 V 9.8 A

TRAIRFI640G

$ 129.00 MXN

Precio Regular: $ 150.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFI640 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFI640G es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El FULLPAK elimina la necesidad de hardware aislante adicional. El compuesto de moldeo utilizado proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la lengüeta y el disipador de calor externo. El aislamiento es equivalente a usar una barrera de mica de 100 micras con un producto estándar. El FULLPAK está montado en un disipador de calor con un único clip o con una sola fijación.

  • Paquete aislado
  • Aislamiento de alta tensión = 2.5 kVRMS (t = 60s, f = 60Hz)
  • Rápida velocidad de conmutación
  • Valor dinámico dV / dt
  • 100% avalancha probado
  • Baja resistencia térmica
  • Carga de puerta baja
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Transistor, polaridad: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 9.8 A
  • Disipación de potencia Pd: 40 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.180 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2944

Documentación

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