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Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Información Básica

  • Drenaje continua Id de corriente: 1 A
  • Fuente de drenaje Voltaje Vds: 100 V
  • En Resistencia RDS (on): 0.54 ohm
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
  • Disipación de energía Pd: 1.3 W
  • RDS (on) Tensión de prueba Vgs: 10 V
  • Tensión umbral Vgs Typ: 2V
  • Polaridad del transistor N Channel
  • Encapsulado: HVMDIP
  • 4 Pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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