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Transistor IRFB41N15D Mosfet TO220 CH N 150 V 41 A

Transistor IRFB41N15D Mosfet TO220 CH N 150 V 41 A

TRAIRFB41N15D

$ 55.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB41N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Carga baja de compuerta a desagüe para reducir las pérdidas de conmutación
  • Capacitancia completamente caracterizada incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño
  • Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizada
  • Aplicaciones: Convertidores DC-DC de alta frecuencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 150 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 41 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 29 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 200 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.045 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

IRF3415PBF

Documentación

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