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Transistor IRFB16N60L Mosfet TO220 CH-N 600 V 16 A

Transistor IRFB16N60L Mosfet TO220 CH-N 600 V 16 A

TRAIRFB16N60L

$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB16N60 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.


  • El diodo corporal ultrarrápido elimina la necesidad de diodos externos en aplicaciones ZVS
  • Una carga más baja de la puerta da como resultado requisitos de manejo más simples
  • Las capacidades dV / dt mejoradas ofrecen una mayor robustez
  • Un umbral de voltaje de puerta más alto ofrece una mejor inmunidad al ruido
  • Disponible sin plomo (Pb)
  • Aplicaciones: SMPS de conmutación de voltaje cero, fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, fuentes de alimentación ininterrumpida, aplicaciones de control de motores

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 16 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 60 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 310 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.385 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220AB
  • Número de pines: 3

Sustituto

SVF18N60C   SPP17N80C3

Documentación

Datasheet

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