$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Información Básica

  • Canal-P
  • Intensidad drenador continua Id: -14 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: -100 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 200mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): -10 V
  • Tensión umbral Vgs: -4 V
  • Disipación de potencia Pd: 79 W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2383 

Documentación

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