$ 17.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • 250V
  • 14A
  • Resistencia de Activación Rds(on) 280mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10V
  • Tensión Umbral Vgs 4V
  • Disipación de Potencia Pd 125W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2900 

Documentación

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