$ 22.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. IRF640 es un mosfet de  potencia que ofrece al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.

  • Paquete aislado
  • 2.5 kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) Aislamiento de alta tensión
  • Fregadero de 4,8 mm para conducir la distancia de fuga
  • Valor dinámico dV / dt
  • Baja resistencia térmica

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 18 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 180 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 2 V
  • Disipación de potencia Pd: 125 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Temperatura de trabajo mínima: -55 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE 2374

Documentación

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