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Transistor IRF541 Mosfet TO220 CH-N 60 V 27 A

Transistor IRF541 Mosfet TO220 CH-N 60 V 27 A

TRAIRF541

$ 23.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF541 Tipo T  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Puerta de silicio para velocidades de conmutación rápidas
  • Escabroso
  • Bajos requisitos de accionamiento
  • Facilidad de paralelismo
  • Aplicaciones: Administración de potencia  de alto voltaje y alta velocidad, regulador de conmutación y aplicaciones de motor y convertidor DC-DC

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 27 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 108 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 125 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.085 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2396    

Documentación

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