$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF510 Tipo T. El IRF510PBF es un MOSFET de potencia de canal N de tercera generación diseñado con la combinación de conmutación rápida, baja resistencia y rentabilidad.

Información Básica

  • Transistor, Polaridad: Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id: 5.6A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 100V
  • Resistencia de Activación Rds(on): 540mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vgs: 4V
  • Disipación de Potencia Pd: 43W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
  • Clasificación dinámica dv/dt
  • Clasificado para avalancha repetitiva
  • Conmutación rápida
  • Facilidad de paralelo
  • Requisitos de impulso simple
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2382 

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios