$ 80.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF460 de potencia, hexfet que es una tecnología de la línea de rectificador avanzado de transistores MOSFET de potencia con una geometría eficiente y procesamiento único en el  diseño "Estado de la técnica" que logra: resistencia muy baja en el estado combinada con una alta transconductancia; Superior re-Energía del verso y recuperación del diodo capacidad del dv / dt. Los transistores HEXFET también cuentan con todas las ventajas de MOSFETs tales como control de voltaje, conmutación muy rápida, facilidad de puesta en paralelo y temperatura estabilidad de los parámetros eléctricos. Son muy adecuados para aplicaciones como la conmutación, fuentes de alimentación, controles de motores, inversores, interruptores, audio, amplificadores y circuitos de impulsos de alta energía.

Información Básica

  • Canal-N
  • 500 V
  • 21 A
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vgs: 4V
  • Disipación de Potencia Pd: 300 W
  • Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
  • Encapsulado TO-3
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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