$ 37.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF350 potencia cuenta con  muy baja resistencia en estado combinado con una alta transconductancia, energía inversa superior y dv recuperación de diodo / dt capacidad. El transistor HEXFET también cuenta con todas las ventajas bien establecidos de MOSFET como el control de la tensión, de conmutación muy rápido, facilidad de puesta en paralelo y estabilidad de temperatura de los parámetros eléctricos.

Información Básica

  • Canal N
  • 400 V
  • 13 A
  • 150 W
  • 0.4 E
  • Resistencia de Activación Rds(on): 300mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vgs: 4V
  • Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
  • Encapsulado TO-3
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

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