$ 48.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor IRF250 potencia  herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel.

Información Básica

  • Canal-N
  • 200 V
  • 30 A
  • 150 W
  • Resistencia de Activación Rds(on): 85mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vgs: 4V
  • Disipación de Potencia Pd: 150W
  • Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150 °C
  • Encapsulado TO-3
  • 2 pines

Sustituto

NTE2376

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios