$ 42.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF1404 Tipo T de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 ° C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

Información Básica

  • Canal N
  • 40 V
  • 162 A
  • 220 W
  • Resistencia de Activación Rds(on): 3.7mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vg: 4V
  • Disipación de Potencia Pd: 220W
  • Temperatura de funcionamiento: -55°C a 155°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2908

Documentación

Datasheet

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