$ 26.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet hexfet IRF1310N Tipo T de un solo canal N 100V HEXFET® Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada.

Información Básica

  • Canal-N
  • 100 V
  • 42 A
  • Resistencia de Activación Rds(on) 36mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10V
  • Tensión Umbral Vgs 4V
  • Disipación de Potencia Pd 160W
  • 175° C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

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