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Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

El HGTG30N60A4 es un SMGB IGBT combina las mejores características de alta impedancia de entrada de un MOSFET y baja en la pérdida de conducción del estado de un transistor bipolar. Este IGBT es ideal para muchas aplicaciones de conmutación de alto voltaje que operan en frecuencias ...

  • Baja tensión de saturación
  • Bajas pérdidas de conducción debidas a baja resistencia en el estado
  • 58ns tiempo de caída a 125 ° C temperatura de unión

Información Básica

  • Corriente de colector DC: 75 A
  • Tensión de saturación colector-Emisor Vce(on): 1.8 V
  • Disipación de potencia Pd: 463 W
  • Tensión colector emisor V(br)ceo: 600 V
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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