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Transistor FQPF8N60C Mosfet TO220 CH N 600 V 7.5 A

Transistor FQPF8N60C Mosfet TO220 CH N 600 V 7.5 A

TRAFQPF8N60C

$ 19.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQPF8N60C  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El FQPF8N60C es un Mosfet ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado,   proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de conmutación y   avalancha. Estos dispositivos son adecuados para suministros de energía de modo de conmutación de alta eficiencia y   corrección de factor de potencia activa.

 
  • Capacidad dv / dt mejorada
  • Cambio rápido
  • Carga de puerta baja (típico 28 nC)
  • Crss bajo (típico 12 pF)
  • Avalancha probada al 100%
  • Aplicaciones: Para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección de factor de potencia activa, balasto de lámpara electrónica basado en topología de medio puente

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
    • Voltaje de puerta a fuente: VGS ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID: 7.5 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 30 A
    • Disipación de potencia (Tc=25°C): 48 W
    • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 1.2 ohm
    • Temperatura de operación mínima:   -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220F
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    2SK2645

    Documentación

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