$ 24.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 4.5 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 600 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 2 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 100 W
  • Temperatura de trabajo máxima.: 150°C
  • Temperatura de trabajo mínima.: -55 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

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