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Transistor FQP12P20 Mosfet TO220 CH-P 200 V 11.5 A

Transistor FQP12P20 Mosfet TO220 CH-P 200 V 11.5 A

TRAFQ12P20

$ 99.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El transistor FQP12P20 Mosfet de canal P QFET®  utiliza la banda planar patentada de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia del estado ON y proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una gran fuerza de energía de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
  • Carga de puerta baja (Typ. 31 nC)
  • Crss bajo (Typ. 30 pF)
  • Avalancha probada al 100%
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección de factor de potencia activa, balastos de lámparas electrónicas basados en topología de medio puente.

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal P
  • Voltaje de drenaje a fuente: VDS -200 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
  • Corriente de drenaje ID: -11.5 A
  • Corriente de drenaje pulsada: -46 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C): 120 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.47 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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