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Transistor FQA28N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 33 A

Transistor FQA28N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 33 A

TRAFQA28N15

$ 61.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQA28N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.


  • Avalancha probado al 100%
  • Capacidad dv / dt mejorada
  • Aplicaciones: Administración de potencia, iluminación, audio, control de motor

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 150 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 25 V
  • Corriente continua de drenaje Id: 33 A
  • Corriente de drenaje pulsada: 132 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C): 227 W
  • Resistencia de activación Rms(on) typ: 0.067 hm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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