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Transistor FQA18N50V2 Mosfet Potencia CH-N 500 V 20 A
TRAFQA18N50
Descripción
El transistor FQA18N50V2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El transistor FQA18N50V2 cuenta con tecnología avanzada, ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo de conmutación y conmutación. Estos dispositivos están bien equipados para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia, balasto de lámpara electrónica basado en topología de medio puente
- Libre de plomo
- 20 A, 500 V, RDS (encendido) = 0.265Ω @VGS = 10 V
- Carga de compuerta baja (típico 42 nC)
- Crss bajo (típico 11 pF)
- Cambio rápido
- Avalancha probado al 100%
- Capacidad dv / dt mejorada
- Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia, fuentes de lámparas basado en la topología de medio puente
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
- Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
- Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 500 V
- Corriente continua de drenaje ID: 20 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 80 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°C): 277 W
- Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.225 ohm
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-3P
- Número de pines: 3
Sustituto
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