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Transistor FQA11N90 Mosfet Potencia CH-N 900 V 11.4 A

Transistor FQA11N90 Mosfet Potencia CH-N 900 V 11.4 A

TRAFQA11N90

$ 62.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQA11N90  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El FQA11N90 es un  dispositivo adecuado para fuente de alimentación conmutada de alta eficiencia.

  • Alta velocidad
  • Alto voltaje de ruptura (VCBO = 1500V)
  • Alta fiabilidad (Adopción del proceso HVP)
  • Adopción del proceso MBIT
  • Diodo damper en chip
  • Aplicaciones: Fuente de alimentación del modo de conmutación

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 900 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 11.4 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 45.6 A
  • Corriente de avalancha IAR: 11.4 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°C): 300 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.75 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Número de pines:3

Sustituto

No Aplica

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