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Transistor FDS6673BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 14.5 A 15R3432

Transistor FDS6673BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 14.5 A 15R3432

TRAFDS6673BZ

$ 49.00 MXN

Precio Regular: $ 80.00
Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet FDS6673BZ   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor  utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
Transistor FDS6673BZ Mosfet esta diseñado para aplicaciones de administración de energía y de conmutación de carga comunes en computadoras portátiles y paquetes de baterías portátiles.

 

  • Gama VGS extendida (-25V) para aplicaciones de batería
  • Nivel de protección HBD ESD de 6.5kV típico
  • Tecnología de zanja de alto rendimiento para extremadamente baja.
  • Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
  • RoHS
  • Aplicaciones: Administración de energía y conmutación de carga en computadoras portátiles y baterías portátiles

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal P
  • Voltaje de drenaje a fuente: -30 V
  • Voltaje de puerta a fuente: ± 25 V
  • Tensión Vgsde medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 1.9 V
  • Corriente continua de drenaje Id: -14.5 A
  • Corriente de drenaje pulsada: -75 A
  • Disipación de potencia Pd: 2.5 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.0065 ohm
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima:  150 °C
  • Encapsulado: SOIC
  • Número de pines: 8
  • Modelo: 15R3432

Documentación

Datasheet

Wikipedia

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