$ 48.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet FDS6673BZ.  El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor  utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Especificaciones

  • Continuous Drain Current Id: 14.5 mA
  • Fuente de drenaje de voltaje Vds: 30 V
  • ON RESISTANCE RDS (on): 0.0078 ohm
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
  • Temperatura de funcionamiento Min: -55 ° C
  • Disipación de energía Pd: 2.5 Watts
  • RDS (on) Tensión de prueba Vgs: 10 V
  • SVHC: No SVHC (16-Dec-2013)
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 V
  • Polaridad del transistor: Canal P
  • Encapsulado: SOIC
  • 8 pines
  • Modelo: 15R3432

Documentación

Datasheet

Wikipedia

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