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Transistor FDD6637 Mosfet Pequeña Señal CH-P -35 V 13 A 75M2457
TRAFDD6637
Descripción
El transistor FDD6637 es un MOSFET PowerTrench de canal P de -35V que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia de estado y mantener la carga de la puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. El MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild se compone de interruptores de potencia optimizados que combinan la carga de compuerta pequeña (QG), la carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y el diodo del cuerpo de recuperación de reversa suave, que contribuye a la conmutación rápida para la rectificación síncrona en las fuentes de alimentación de CA / CC. Emplea una estructura de puerta blindada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM de estos dispositivos es un 66% más bajo que el de la generación anterior. El rendimiento del diodo de cuerpo suave del nuevo PowerTrench® MOSFET es capaz de eliminar el circuito de amortiguación o reemplazar una clasificación de voltaje más alta: el MOSFET necesita un circuito porque puede minimizar los picos de voltaje indeseables en la rectificación síncrona. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (encendido)
- Aplicaciones: Uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes entre las cuales destacan inversores y fuentes de alimentación
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal P
- Voltaje drenaje -fuente VDSS: -35 V
- Voltaje compuerta - fuente: ±25 V
- Voltaje de avalancha de fuente de drenaje máximo: -40 V
- Corriente drenado continua Id: -13 A
- Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 57 W
- Resistencia de activación Rds(on): 0.0097 Ohm
- Temperatura de operación mínima: -55°C
- Temperatura de operación máxima: 150°C
- Encapsulado: TO-252
- Número de pines: 3
- 75M2457
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