$ 17.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor BU807 Tipo T  NPN de silicio en configuración Darlington dentro de un diodo de aceleración de emisor base integrado diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación alta.

  • Darlington
  • Alta velocidad
  • Alta corriente
  • Aplicaciones: Etapas de salida horizontal de 110 pantallas de video o CRT

Información Básica

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector base VCBO: 330 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 150 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 6 V
  • Corriente de colector Ic: 8 A
  • Disipación de potencia total Pc: 60 W
  • Temperatura de operación mínima: -65°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2315 BU806

Documentación

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