$ 7.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Especificaciones

  • Polaridad: Canal N
  • Id actual: 170 mA
  • Fuente de drenaje Voltaje Vds: 100 V
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
  • Disipación de energía Pd: 225 MW
  • RDS (on) Tensión de prueba Vgs: 10 V
  • Tensión umbral Vgs Typ: 20 V
  • Transistor Tipo de caja: SOT-23
  • Modelo: 83H6428

Sustituto

Sin aplicar

Documentación

Datasheet

Wikipedia

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