$ 16.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El BD239C es un transistor de potencia de 100V Silicon NPN fabricado en tecnología planar con diseño de isla base. El transistor muestra un excepcional rendimiento de alta ganancia, junto con un voltaje de saturación muy bajo. Tiempos de conmutación rápida y voltaje de saturación muy bajo.
  • Tensión colector-base (Vcbo = 100V)
  • Voltaje emisor-base (Vcbo = 5V)
  • Parámetro hFE controlado para una mayor fiabilidad

Información Básica

  • Polaridad: NPN
  • Tensión colector emisor V(br)ceo: 100 V
  •  Disipación de potencia Pd: 2 W
  • Corriente de colector DC: 2 A
  • Ganancia de corriente DC hFE: 40 hFE
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE152 

Documentación

Datasheet

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