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Transistor AOP605 Mosfet DIP CH-N y CH-P 30 V 6 A

Transistor AOP605 Mosfet DIP CH-N y CH-P 30 V 6 A

TRAAOP605

$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor AOP605 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El AOP605  utiliza la avanzada tecnología para proporcionar excelente DS (ON) y carga baja de la compuerta. MOSFET complementarios forman una potencia de alta velocidad inversor, adecuado para una multitud de aplicaciones. AOP605 y AOP605L son eléctricamente idénticos.

 

  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N y Canal-P
  • Voltaje máximo VDSS Canal N: 30 V
  • Voltaje máximo VDSS Canal P: -30 V
  • Voltaje máximo VGSS: ± 20 V
  • Corriente máxima ID Canal-N: 7.5 A
  • Corriente máxima ID Canal-P: -6.6 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP Canal-N: 30 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP Canal-P: -30 A
  • Corriente pulso máxima IDP Canal-N: 2.5 A
  • Corriente pulso máxima IDP Canal-P: 2.5 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C) Canal-N: 2.5 W
  • Disipación máxima PD (TC=25°C) Canal-P: 2.5 W
  • Resistencia de activación RDS(on): 0.028 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: DIP
  • Número de pines: 8

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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