$ 34.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El 2sK3569 es un Mosfet de potencia protegido por Zener de 600 V con canal N desarrollado mediante la tecnología SuperMESH ™, logrado mediante la optimización del diseño PowerMESH ™ basado en bandas bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia, este MOSFET está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv / dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de puerta mejorada y menor disipación de energía para satisfacer los exigentes requisitos actuales de eficiencia.

  • Capacidad de dv / dt extremadamente alta
  • 100% Avalancha probada
  • Carga de puerta minimizada
  • Zener-protegido

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 10 A
  • Tensión frenaje-fuente Vds: 600 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.65 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 3.75 V
  • Disipación de potencia Pd: 35 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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