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Transistor 2SK2845 Mosfet Media Potencia CH-N 900 V 1 A

Transistor 2SK2845 Mosfet Media Potencia CH-N 900 V 1 A

TRA2SK2845

$ 19.00 MXN

Precio Regular: $ 25.00
Precio incluye IVA

Descripción 

El transistor 2SK2845 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Alta velocidad de conmutación
  • Resistencia ON de baja fuente de drenaje: RDS (ON) = 8.0 Ω (típico)
  • Alta admitancia de transferencia directa: | Yfs | = 0.9 S (típico)
  • Corriente de fuga baja: IDSS = 100 μA (máx.) (VDS = 720 V)
  • Modo de mejora: Vth = 2.0 ~ 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
  • Aplicaciones: Industrial, convertidor DC-DC, unidad de relé y aplicaciones de accionamiento de motor

Especificaciones

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 900 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 900 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 1 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 3 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°): 40 W
  • Resistencia de disparo RDS (ON) typ: 8 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado TO-126N
  • 3 pines

Sustituto

No aplica

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