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Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El 2N7000 es un transductor de efecto de campo de modo de mejora de canal N se produce utilizando la tecnología patentada de DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad ha sido diseñado para minimizar la resistencia en el estado mientras proporciona un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido. Se puede utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400mA DC y puede entregar corriente pulsada hasta 2A. También es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, tales como control de servo motor pequeño, controladores de puerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
  • Interruptor de señal pequeño controlado por voltaje
  • Robusto y fiable
  • Alta Capacidad de Corriente de Saturación

Información Básica

  • N CHANNEL MOSFET, 60 V, 200 mA, TO-92
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Corriente continua de drenaje: 200 mA
  • Vds Voltaje: 60 V
  • Resistencia RDS (on): 5 ohms
  • RDS (on) Vgs prueba de tensión: 10 V
  • Voltaje Vgs Typ: 2.1 V
  • Encapsulado TO-92
  • 3 pines

Sustituto

NTE491 

Documentación

Datasheet

Wikipedia

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