$ 165.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor 2N5886G potencia genérico de silicio complementario de alta potencia de 25A NPN diseñado para amplificador de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación.
  • Tensión baja de la saturación del colector-emisor (1VDC máximo VCE (sat) @ 15A DC IC)
  • Baja corriente de fuga (1mA DC máxima ICEX @ tensión nominal)
  • Excelente ganancia de corriente DC (20 hFE @ 10A DC IC como mínimo)

Información Básica

  • TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, - 80 V, 25 A, TO-3
  • Libre de plomo
  • Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje V (br) ceo: 80 V
  • Transición de frecuencia ft: 4 MHz
  • Disipación de potencia Pd: 200 W
  • DC Corriente del colector: 25 A
  • Ganancia de corriente contínua hFE: 100
  • Encapsulado TO-3
  • 2 pines

Sustituto

NTE180

Documentación

Datasheet

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