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STRS6707
CIRSTRS6707
Descripción
Circuito Integrado STRS6707 diseñado para cumplir con el requisito de mayor integración y confiabilidad en convertidores flyback cuasi-resonantes fuera de línea. Estos dispositivos incorporan el control primario y el circuito de control proporcional con un transistor de conmutación bipolar de alta tensión de tercera generación. Los parámetros cruciales del sistema, como el tiempo máximo de encendido y apagado, se fijan durante la fabricación. El desacoplamiento y la disposición del circuito de control local se optimizan dentro de cada dispositivo. La limitación de corriente ciclo a ciclo, el bloqueo de bajo voltaje con histéresis, la protección contra sobre voltaje y el apagado térmico protegen estos dispositivos durante todas las condiciones normales y de sobrecarga. La protección contra sobre tensión y el apagado térmico se bloquean después de un breve retraso. El circuito de inhibición de triple nivel versátil incluye la sincronización de tiempo de apagado requerida para establecer una operación cuasi-resonante. La función de inhibición también se ha ampliado para iniciar el funcionamiento en modo de espera en el que la fuente de alimentación suministra una pequeña fracción de la potencia de salida en estado estable. Los requisitos duales de aislamiento dieléctrico y baja impedancia térmica transitoria y resistencia térmica en estado estable se satisfacen en un Paquete de energía en línea simple sobre moldeado Probado en volúmenes sustanciales, estos dispositivos y sus contrapartes de frecuencia fija representan un avance significativo en el crecimiento e integración de confiabilidad SMPS fuera de línea.
- Operación cuasi-resonante para EMI baja y alta eficiencia
- Potencia de salida a 220 W
- Modo de espera de salida de baja potencia
- Protección contra sobre corriente pulso a pulso
- Protección contra sobre tensión y protección térmica enclavada
- Transistor de conmutación de tercera generación con accionamiento proporcional
- Tiempo máximo de encendido y apagado configurado durante la fabricación
- Bloqueo interno de bajo voltaje con histéresis
Especificaciones
- Suministro de voltaje: 15 V
- Voltaje colector emisor VCE: 850 V
- Voltaje emisor base VEB: 7 V
- Corriente drenaje Id: -7000 mA
- Temperatura de operación mínima: -20°C
- Temperatura de operación máxima: 125°C
- Encapsulado SIP
- 9 pines
Sustituto
No Aplica
Documentación
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