$ 23.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El TCET1103G consiste en un fototransistor de arseniuro de galio, ópticamente acoplado  que emite luz  infrarroja en un 4-llevar hasta 16 derivaciones. Los elementos están montados en un bastidor de conductores mediante una técnica coplanar, proporcionando una distancia fija entre entrada y salida para los requisitos de seguridad más altos.

Especificaciones

  • Al impulso de tensión (sobretensión transitoria) VIOTM = 8 kV pico
  • Aislamiento Tensión de prueba (tensión de prueba de descarga parcial) Vpd = 1,6 kV
  • Aislamiento Tensión nominal (RMS incluye CD) VIOWM = 600 VRMS (848 V pico)
  • Tensión de pico repetitivo (recurrente) VIORM = 600 VRMS
  • N º de canales: 1
  • Tensión de aislamiento: 5 kV
  • Tipo Optoacoplador salida: Phototransistor
  • Entrada de corriente: 50mA
  • Voltaje de salida: 70V
  • Tipo encapsulado: DIP
  • No. de pines: 4
  • Corriente de entrada máxima: 50 mA

Sustituto

No Aplica

Documentación

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