$ 365.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Semiconductor NTE2973. MOSFET N–Channel, Enhancement Mode High Speed Switch.

Especificaciones

  • Transistor, Polaridad Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id 14 A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds 900 V
  • Resistencia de Activación Rds(on) 630 mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10 V
  • Tensión Umbral Vgs 3 V
  • Disipación de Potencia Pd 275 W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
  • Diseño de Transistor TO-3P
  • Núm. de Contactos 3Pines

Sustituto

NTE2973

Documentación

Datasheet

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