$ 150.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Semiconductor NTE2380. Switch de alta velocidad. El NTE 2380 es un 500V N-canal complementario TMOS energía FET diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad, tales como reguladores de conmutación, convertidores, solenoide de alta tensión y retransmitir y conductores. compuerta de silicio para la conmutación de altas velocidades es SOA robusta Fuente limitada disipación de energía residual del diodo caracterizado para su uso con cargas inductivas.

Información Básica

  •  Transistor, Polaridad Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id 2.5 A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds 500 V
  • Resistencia de Activación Rds(on) 3 ohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10 V
  • Tensión Umbral Vgs 4 V
  • Disipación de Potencia Pd 40 W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2380

Documentación  

 

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