$ 120.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Semiconductor NTE2333. Transistor bipolar (BJT) Silicon NPN Power Transistor for Switching Power Applications.

Especificaciones

  • Transistor, Polaridad NPN
  • Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 450 V
  • Frecuencia de Transición ft: 14 MHz
  • Disipación de Potencia Pd: 100 W
  • Corriente de Colector DC : 15 A
  • Ganancia de Corriente DC hFE : 32
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -65 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

 

Sustituto

NTE2333

Documentación

Datasheet

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