$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Semiconductor NTE199.Transistor de bajo ruido, amplificador de alta ganancia.  El NTE199 es un transistor NPN 50V silicio diseñado especialmente para preamplificador de bajo ruido y del amplificador industrial en pequeña señal. El transistor presenta bajo voltaje colector de saturación, control de la beta cerrada y excelentes características de bajo ruido.

Información Básica

  •  Transistor, Polaridad NPN
  • Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 50 V
  • Frecuencia de Transición ft -
  • Disipación de Potencia Pd: 360 mW
  • Corriente de Colector DC: 100 mA
  • Ganancia de Corriente DC hFE 800
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 125°C
  • Temperatura de Trabajo Mín.: -55 °C
  • Tensión colector-base (VCB = 70 V)
  • Tensión emisor-base (Veb = 5 V)
  • Bajo nivel de ruido, alta ganancia del amplificador
  • Encapsulado TO-92
  • 3 pines

Sustituto

NTE199

Documentación 

 

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